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1利用贴片陶瓷电容器介质层的薄层化和多层叠层技术，使电容值大为扩大
2·单片结构保证有极佳的机械性强度及可靠性
2极高的精确度，在进行自动装配时有高度的准确性
4因仅有陶瓷和金属构成，故即便在高温，低温环境下亦无渐衰的现象出现，具有较强可靠性与稳定性
5低集散电容的特性可完成接近理论值的电路设计
6残留诱导系数小，确保上佳的频率特性
7因电解电容器领域也获得了电容，故使用寿命延长，更造于具有高可靠性的电源
8由于ESR低，频率特性良好，故最适合于高频，高密度类型的电源
高压贴片电容
高压贴片电容又名陶瓷多层片式电容器，是一种用陶瓷粉生产技术，
内部为贵金属钯金，用高温烧结法将银镀在陶瓷上作为电极制成。
产品分为高频瓷介NPO(COG)和低频瓷介X7R两种材质。
NPO具有小的封装体积，高耐温度系数的电容，高频性能好，
用于高稳定振荡回路中，作为电路滤波电容。X7R瓷介电容器限于在工作普通频率的回路中作旁路或隔直流用，
或对稳定性和损耗要求不高的场合,这种电容器不宜使用在交流（AC)脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿，
所以不建义使用在交流电路中。
高压贴片电容分三类：
一类为温度补偿型NPO介质
NP0又名COG电气性能最稳定，基本上不随温度、电压、时间的改变，属超稳定型、低损耗电容材料类型，适用在对稳定性、可靠性要求较高的高频、特高频、甚高频电路中。
二类为高介电常数型X7R介质
X7R是一种强电介质，因而能制造出容量比NPO介质更大的电容器。这种电容器性能较稳定，随温度、电压时间的改变，其特有的性能变化并不显著，属稳定电容材料类型，使用在隔直、耦合、傍路、滤波电路及可靠性要求较高的中高频电路中。
三类为半导体型X5R介质
X5R具有较高的介电常数，常用于生产比容较大、标称容量较高的大容量电容器产品。但其容量稳定性较X7R，容量、损耗对温度、电压等测试条件较敏感，主要用在电子整机中的振荡、耦合、滤波及傍路电路中。 优点：封装体积小,质量稳定，绝缘性能高，耐高压 缺点:容量较小，目前最大100UF，易于被脉冲电压击穿。 性能参数： 1.材质NPO(COG).X7R.X5R.Y5V 2.容量0.1PF-100PF-1NF-1UF-100UF 3.电压6.3V-100V-1KV-2KV-5KV 4.封装0201-0805-1206-1812-2225 应用范围： 产品广泛用于模块电源、汽车电子，通讯电源，LED照明电源等领域，有着广阔的应用发展前景.
高压贴片电容又名陶瓷多层片式电容器，是一种用陶瓷粉生产技术，
内部为贵金属钯金，用高温烧结法将银镀在陶瓷上作为电极制成。
产品分为高频瓷介NPO(COG)和低频瓷介X7R两种材质。
NPO具有小的封装体积，高耐温度系数的电容，高频性能好，
用于高稳定振荡回路中，作为电路滤波电容。X7R瓷介电容器限于在工作普通频率的回路中作旁路或隔直流用，
或对稳定性和损耗要求不高的场合,这种电容器不宜使用在交流（AC)脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿，
所以不建义使用在交流电路中。
高压贴片电容分三类：
一类为温度补偿型NPO介质
NP0又名COG电气性能最稳定，基本上不随温度、电压、时间的改变，属超稳定型、低损耗电容材料类型，适用在对稳定性、可靠性要求较高的高频、特高频、甚高频电路中。
二类为高介电常数型X7R介质
X7R是一种强电介质，因而能制造出容量比NPO介质更大的电容器。这种电容器性能较稳定，随温度、电压时间的改变，其特有的性能变化并不显著，属稳定电容材料类型，使用在隔直、耦合、傍路、滤波电路及可靠性要求较高的中高频电路中。
三类为半导体型X5R介质
X5R具有较高的介电常数，常用于生产比容较大、标称容量较高的大容量电容器产品。但其容量稳定性较X7R，容量、损耗对温度、电压等测试条件较敏感，主要用在电子整机中的振荡、耦合、滤波及傍路电路中。 优点：封装体积小,质量稳定，绝缘性能高，耐高压 缺点:容量较小，目前最大100UF，易于被脉冲电压击穿。 性能参数： 1.材质NPO(COG).X7R.X5R.Y5V 2.容量0.1PF-100PF-1NF-1UF-100UF 3.电压6.3V-100V-1KV-2KV-5KV 4.封装0201-0805-1206-1812-2225 应用范围： 产品广泛用于模块电源、汽车电子，通讯电源，LED照明电源等领域，有着广阔的应用发展前景.
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