1利用贴片陶瓷电容器介质层的薄层化和多层叠层技术,使电容值大为扩大
2·单片结构保证有极佳的机械性强度及可靠性
3极高的精确度,在进行自动装配时有高度的准确性
4因仅有陶瓷和金属构成,故即便在高温,低温环境下亦无渐衰的现象出现,具有较强可靠性与稳定性
5低集散电容的特性可完成接近理论值的电路设计
6残留诱导系数小,确保上佳的频率特性
7因电解电容器领域也获得了电容,故使用寿命延长,更造于具有高可靠性的电源
8由于ESR低,频率特性良好,故最适合于高频,高密度类型的电源
高压贴片电容
高压贴片电容又名陶瓷多层片式电容器,是一种用陶瓷粉生产技术,
内部为贵金属钯金,用高温烧结法将银镀在陶瓷上作为电极制成。
产品分为高频瓷介NPO(COG)和低频瓷介X7R两种材质。
NPO具有小的封装体积,高耐温度系数的电容,高频性能好,
用于高稳定振荡回路中,作为电路滤波电容。X7R瓷介电容器限于在工作普通频率的回路中作旁路或隔直流用,
或对稳定性和损耗要求不高的场合,这种电容器不宜使用在交流(AC)脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿,
所以不建义使用在交流电路中。
高压贴片电容分三类:
一类为温度补偿型NPO介质
NP0又名COG电气性能最稳定,基本上不随温度、电压、时间的改变,属超稳定型、低损耗电容材料类型,适用在对稳定性、可靠性要求较高的高频、特高频、甚高频电路中。
二类为高介电常数型X7R介质
X7R是一种强电介质,因而能制造出容量比NPO介质更大的电容器。这种电容器性能较稳定,随温度、电压时间的改变,其特有的性能变化并不显著,属稳定电容材料类型,使用在隔直、耦合、傍路、滤波电路及可靠性要求较高的中高频电路中。
三类为半导体型X5R介质
X5R具有较高的介电常数,常用于生产比容较大、标称容量较高的大容量电容器产品。但其容量稳定性较X7R,容量、损耗对温度、电压等测试条件较敏感,主要用在电子整机中的振荡、耦合、滤波及傍路电路中。 优点:封装体积小,质量稳定,绝缘性能高,耐高压 缺点:容量较小,目前最大100UF,易于被脉冲电压击穿。 性能参数: 1.材质NPO(COG).X7R.X5R.Y5V 2.容量0.1PF-100PF-1NF-1UF-100UF 3.电压6.3V-100V-1KV-2KV-5KV 4.封装0201-0805-1206-1812-2225 应用范围: 产品广泛用于模块电源、汽车电子,通讯电源,LED照明电源等领域,有着广阔的应用发展前景.
2·单片结构保证有极佳的机械性强度及可靠性
3极高的精确度,在进行自动装配时有高度的准确性
4因仅有陶瓷和金属构成,故即便在高温,低温环境下亦无渐衰的现象出现,具有较强可靠性与稳定性
5低集散电容的特性可完成接近理论值的电路设计
6残留诱导系数小,确保上佳的频率特性
7因电解电容器领域也获得了电容,故使用寿命延长,更造于具有高可靠性的电源
8由于ESR低,频率特性良好,故最适合于高频,高密度类型的电源
高压贴片电容
高压贴片电容又名陶瓷多层片式电容器,是一种用陶瓷粉生产技术,
内部为贵金属钯金,用高温烧结法将银镀在陶瓷上作为电极制成。
产品分为高频瓷介NPO(COG)和低频瓷介X7R两种材质。
NPO具有小的封装体积,高耐温度系数的电容,高频性能好,
用于高稳定振荡回路中,作为电路滤波电容。X7R瓷介电容器限于在工作普通频率的回路中作旁路或隔直流用,
或对稳定性和损耗要求不高的场合,这种电容器不宜使用在交流(AC)脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿,
所以不建义使用在交流电路中。
高压贴片电容分三类:
一类为温度补偿型NPO介质
NP0又名COG电气性能最稳定,基本上不随温度、电压、时间的改变,属超稳定型、低损耗电容材料类型,适用在对稳定性、可靠性要求较高的高频、特高频、甚高频电路中。
二类为高介电常数型X7R介质
X7R是一种强电介质,因而能制造出容量比NPO介质更大的电容器。这种电容器性能较稳定,随温度、电压时间的改变,其特有的性能变化并不显著,属稳定电容材料类型,使用在隔直、耦合、傍路、滤波电路及可靠性要求较高的中高频电路中。
三类为半导体型X5R介质
X5R具有较高的介电常数,常用于生产比容较大、标称容量较高的大容量电容器产品。但其容量稳定性较X7R,容量、损耗对温度、电压等测试条件较敏感,主要用在电子整机中的振荡、耦合、滤波及傍路电路中。 优点:封装体积小,质量稳定,绝缘性能高,耐高压 缺点:容量较小,目前最大100UF,易于被脉冲电压击穿。 性能参数: 1.材质NPO(COG).X7R.X5R.Y5V 2.容量0.1PF-100PF-1NF-1UF-100UF 3.电压6.3V-100V-1KV-2KV-5KV 4.封装0201-0805-1206-1812-2225 应用范围: 产品广泛用于模块电源、汽车电子,通讯电源,LED照明电源等领域,有着广阔的应用发展前景.
陈先生 —13823577163 QQ:2023437468
性能参数:
材质NPO(COG).X7R.X5R.Y5V
容量0.1PF-100PF-1NF-1UF-100UF
电压6.3V-100V-1KV-2KV-5KV
封装0201-0805-1206-1812-2225
工作温度范围: -55~125℃
额定电压: 100VDC~3000VDC
温度特性: NPO:≤±30ppm/℃,-55~125℃(EIA:Class I)
X7R:≤±15%,-55~125℃(EIA:Class II)
容量范围: NPO:2pF to 100nF;X7R:150pF to 2.2uF
损失角正切(tanδ): NPO:Q≥1000;X7R:D.F.≤2.5%
绝缘电阻: 10GΩ 或 500/C Ω 取两者最小值
老化速率: NPO:1%;X7R:2.5% 一个decade时间
介质电耐电压: 100V ≤ V <500V :200%
额定电压:500V ≤ V <1000V :150%
额定电压:1000v≤ V :120%
材质NPO(COG).X7R.X5R.Y5V
容量0.1PF-100PF-1NF-1UF-100UF
电压6.3V-100V-1KV-2KV-5KV
封装0201-0805-1206-1812-2225
工作温度范围: -55~125℃
额定电压: 100VDC~3000VDC
温度特性: NPO:≤±30ppm/℃,-55~125℃(EIA:Class I)
X7R:≤±15%,-55~125℃(EIA:Class II)
容量范围: NPO:2pF to 100nF;X7R:150pF to 2.2uF
损失角正切(tanδ): NPO:Q≥1000;X7R:D.F.≤2.5%
绝缘电阻: 10GΩ 或 500/C Ω 取两者最小值
老化速率: NPO:1%;X7R:2.5% 一个decade时间
介质电耐电压: 100V ≤ V <500V :200%
额定电压:500V ≤ V <1000V :150%
额定电压:1000v≤ V :120%